2026年3月，我国科学家成功造出1纳米“记忆开关”，突破了芯片微型化的核心技术瓶颈，为下一代超高密度存储芯片的研发奠定了坚实基础。随着芯片制程不断向7纳米、5纳米甚至3纳米推进，传统硅基芯片的微型化面临物理极限，而1纳米“记忆开关”的研发成功，打破了这一限制，实现了存储单元的极致微型化。该“记忆开关”采用新型二维材料制备，厚度仅为1纳米，体积较传统存储单元缩小80%以上，同时具备读写速度快、功耗低、稳定性强等优势，读写延迟可缩短至10皮秒以内，功耗较传统存储芯片降低50%。这一技术突破不仅解决了芯片微型化过程中的核心难题，还可广泛应用于超高密度存储、量子计算、人工智能等领域，推动芯片产业向更高性能、更小体积、更低功耗的方向发展。目前，该技术已完成实验室验证，后续将逐步推进产业化，预计2028年实现规模化应用。